나노전자 양자선
페이지 정보
- 용어
- 양자선
- 요약
- 차원적 구속으로 에너지 준위의 양자화가 나타나는 나노 크기의 초미세선
- 참고문헌
- - Journal of the Korean Physical Society, 39, No. 3, 497-500 (2001)
- http://www.ee.princeton.edu/~chouweb/gallery/SET/SET.html - 분류
- 나노전자 > 나노구조
본문
양자선(Quantum Wires)은 나노크기의 1차원적 초미세구조로, 전자의 움직임이 1차원에 속박되어 있고 이때 전자의 파장이 구속포텐셜의 크기와 상응하며 전자의 에너지 준위가 양자화된다. 이 에너지 양자화 효과로 양자선은 크기가 큰 물질구조에 비하여 전기적 특성과 광특성이 우수하다. 양자선은 (a)와 같이 바텀업 기법으로 성장시킬 수 있으며 (b)와 같이 탑다운 기법으로 제작할 수 있다.
리소그래피 기술(lithography technique)의 발전과 기술 개발로 양자선 제작이 가능해졌으며 반도체 소자의 과제들인 크기 축소(scaling down), 저전력 소모, 집적도(intergrated) 향상에 크게 기여하였다. 이 양자선들은 양자전계효과트랜지스터(quantum Field Effect Transistor)에 유용하게 사용될 것이며, 이 양자 소자는 초고속, 저 소비전력, 신기능의 특성을 예상하고 있다. 양자선을 이용한 단전자 트랜지스터(Single-electron-transistor)의 단점은 실온에서 작동이 어렵다는 것인데 이를 극복하기 위해서는 양자선에서 전자의 양자 수송 현상(quantum transport phenomena)에 대한 정확한 현상 관찰과 원리 규명이 선행되어져야 한다. 그러기 위해서는 재현성이 좋은 리소그래피 기술의 발전과 기술 개발이
리소그래피 기술(lithography technique)의 발전과 기술 개발로 양자선 제작이 가능해졌으며 반도체 소자의 과제들인 크기 축소(scaling down), 저전력 소모, 집적도(intergrated) 향상에 크게 기여하였다. 이 양자선들은 양자전계효과트랜지스터(quantum Field Effect Transistor)에 유용하게 사용될 것이며, 이 양자 소자는 초고속, 저 소비전력, 신기능의 특성을 예상하고 있다. 양자선을 이용한 단전자 트랜지스터(Single-electron-transistor)의 단점은 실온에서 작동이 어렵다는 것인데 이를 극복하기 위해서는 양자선에서 전자의 양자 수송 현상(quantum transport phenomena)에 대한 정확한 현상 관찰과 원리 규명이 선행되어져야 한다. 그러기 위해서는 재현성이 좋은 리소그래피 기술의 발전과 기술 개발이
필수적이다. 양자선에서의 양자 수송 현상은 특히 이질 구조를 갖는 반도체 소자에서 많이 연구되어지고 있다.