나노전자 탄도성 나노소자, 볼리스틱 나노소자
페이지 정보
- 용어
- 탄도성 나노소자, 볼리스틱 나노소자
- 요약
- 전자의 평균주행거리보다 짧게 되는 나노미터 영역의 볼리스틱 효과를 이용하는 나노소자
- 참고문헌
- - A. M. Song, Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, X, 1-19 edited by H. S. Nalwa (2004)
- http://www.Phantomsnet.com/files/abstracts/TNT2003/Abstract_Poster_Bednarz.pdf
- http://www.cnm.es/cde03/abstracts/CDE03101.pdf - 분류
- 나노전자 > 나노전자공학
본문
반도체의 크기가 전자의 평균주행거리보다 짧게 되는 나노미터 영역에 달하게 되면 전자는 당구공처럼(마치 날아가는 포탄이 탄도를 그리듯이) 한쪽 끝에서 다른 쪽으로 산란(scattering) 없이 전송될 수 있다. 이렇게 전송이 일어나는 것을 탄도성(ballistic) 전송이라 한다. 이러한 현상을 응용하면 반도체 소형화의 기술적 한계를 극복할 수 있다. Si의 평균 주행 거리는 일반적으로 수 십 nm이지만 화합물 반도체는 100~200 nm이므로 화합물 반도체 탄도성 나노소자가 Si 보다 용이하게 제작할 수 있고 상온에서도 탄도성 현상을 관찰할 수 있다. 현재 탄도성 효과를 응용한 나노소자로는 탄도성 정류기와 THz급 데이터 처리를 위한 Multiplexer/Demultiplexer 등이 있다. 탄도성 정류기의 경우 일반적으로 정류기로 쓰이는 P-N 다이오드와 달리 도핑과 barrier를 형성시킬 필요가 없다.
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