나노공정 리소그래피
페이지 정보
- 용어
- 리소그래피
- 요약
- 마스크를 통과한 광자나 전자, 이온 등을 사용하여 감광막를 변성시키고, 변성된 부분을 화학처리하여 원하는 패턴을 만들어 내는 과정
- 참고문헌
- - Yong Chen, Anne P?in, Nanofabrication: Conventional and nonconventional methods, Electrophoresis 22, 187-207 (2001)
- http://www.barrettresearch.ca/teaching/nanotechnology/nano04.htm
- http://www.research.ibm.com/journal/rd/411/chiu.html - 분류
- 나노공정 > 리소그래피
본문
리소그래피(lithography)는 마스크(mask)를 통과한 광자(photon)나 전자, 이온 등을 사용하여 마스크를 변성시키고, 변성된 부분을 화학처리 하여 원하는 패턴을 만들어 내는 과정을 말한다. 그림에서 보면 왼쪽부분이 리소그래피 공정이며 오른쪽 부분은 그 이후 직접 기판(substrate)을 가공하는 공정이다. 리소그래피과정은 크게 3 단계로 나눌 수 있다. ① 기판에 감광성 고분자 물질(resist)을 일정한 두께로 고르게 도포한다. ② 원하는 패턴이 새겨져 있는 마스크를 통과한 광자나 전자, 이온 등을 감광막에 조사하여 준다. ③ 변성된 감광막에 적절한 화학처리(developing)를 하여 패턴으로 만들어 낸다. 이와 같이 감광막에 패턴을 만들고 나면, 그 이후의 과정은 실제 가공 과정인데 에칭(etching), 재성장(re-growth), 도핑(doping), 립오프(lift-off) 등의 공정이 있다. 일반적인 가공의 과정은 한번에 끝나지 않고 리소그래피와 가공을 여러 번 반복함으로써 보다 복잡한 형상을 만들어낼 수 있게 된다.
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