나노전자 자벽 정보저장
페이지 정보
- 용어
- 자벽 정보저장
- 요약
- 자기 나노선에 자벽을 기록 및 저장하고, 자벽으로부터 나오는 누설자계를 재생하는 방식의 정보저장소자
- 참고문헌
- - S.A. Wolf et al., IBM Jour. of Research and Development 50, 101 (2006)
- 분류
- 나노전자 > 스핀트로닉스
본문
기존의 정보저장소자는 크게 하드 디스크 드라이브 (HDD)와 고체 메모리(solid state memory)로 구분할 수 있다. HDD의 경우 실제 기계적인 운동을 하기 때문에 모바일(mobile) 제품용 저장소자로는 고전력 및 내충격 등의 기술적 문제가 있다. 이에 반해 고체 메모리는 고전력/내충격 등의 문제는 없으나 1 bit당 가격이 HDD에 비해 100배 정도 비싸다.
자벽 정보저장(Domain wall storage)은 HDD와 고체 메모리의 장점만을 결합한 특징을 갖는 새로운 저장소자이다. HDD의 무빙파트(moving part)를 스핀전달토크에 의한 자벽이동으로 대체하였으며, 하나의 나노선 (수백~수천 bit) 당 하나의 CMOS 집적기술이 사용되므로, 각 cell 마다 CMOS를 사용해야 하는 고체 메모리에 비해 가격경쟁력이 우수하다. 자벽정보저장의 기록 및 재생방식은 옆 그림에 표현되어있다 ((a) 기록방식, (b) 재생방식). 스핀전달토크에 의한 자벽의 이동방식에 관한 기초연구가 현재 부각되고 있다.