나노전자 나노결정 메모리
페이지 정보
- 용어
- 나노결정 메모리
- 요약
- 정보를 저장하기 위해 전하가 주입되는 매체가 다수의 나노결정으로 구성되어 있는 소자
- 참고문헌
- - Silicon Nitride Trap Memory with Double Tunnel Junctuin. 35~36, Syposium on VLSI Technology (2003)
- Investigation of few electrons storage phenomea in an Ultra-Scaled Si-nanocrystal Memory 50-51, SNW (2003)
- Hybrid Silicon Nanocrystal Silicon Nitrid - 분류
- 나노전자 > 나노전자공학
본문
나노크리스탈 메모리(Nanocrystal Memory)는 정보를 저장하기 위해 전하가 주입되는 매체(medium)가 기존의 Floating gate type Memory의 Poly-Si막이나 SONOS 메모리의 Nitride막 대신 다수의 나노결정(dot)으로 구성되어 있는 구조이다. 나노크리스탈 메모리의 제조(Fabrication)와 관련된 연구분야는 Dot size control, Uniform dot distribution, Dot to dot space control 등이 있으며, 이러한 것들의 조절여부에 따라 나노크리스탈 메모리소자의 메모리성능여부가 좌우된다. dot을 형성하는 방법으로는 LPCVD를 이용한 방법과 레이저 증발(laser ablation)을 이용한 에어로졸(Aerosol)법 및 열분해(Pyrolysis) 방법도 활발한 연구가 진행되고 있다.
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