나노전자 양자 소자
페이지 정보
- 용어
- 양자 소자
- 요약
- 소자가 나노미터 수준에 도달할 때 발현되는 전하양자화, 선속양자화, 에너지양자화와 같은 양자현상을 응용한 소자
- 참고문헌
- - M. J. Kelly, Low-dimensional Semiconductors, Clarendon pross, Oxford (1995)
- http://semiconductorsbassary.com/default.asp-searchterm=quantum+
- http://www.nanoscicence.unimo.it/qdevices.html - 분류
- 나노전자 > 나노전자공학
본문
소자의 크기가 나노미터 레벨에 이르면 전하(charge) 양자화, 선속(flux) 양자화, 에너지 양자화와 같은 양자현상이 소자의 특성을 지배하게 된다. 이러한 양자화 현상을 응용한 소자를 양자소자라 한다. 에너지 양자화의 대표적인 예는 에너지 밴드 변조, 공명 터널, 양자홀효과 등이 있으며 이를 응용한 소자로는 HEMT(High Electron Mobility Transistor), RTD(Resonnant Tunneling Device), Quantum Well Laser 등이 있다. 선속 양자화의 대표적인 예는 양자간섭효과와 Aharonov-Bohm 진동이 있고 이를 이용한 소자는 양자 간섭 트랜지스터, 전자파 소자 등이 있다. 전하 양자화의 대표적인 예는 단전자 터널이며 이를 응용한 소자가 단전자 트랜지스터이다.
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