용어의 정의

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1988년 프랑스 Paris-Sud 대학의 연구진이 반강자성적(Antiferro-magnetic)으로 결합된 Fe/Cr 나노자성 다층박막에서 외부자기장이 각 층의 자기화 방향을 한쪽 방향으로 정렬시킴에 따라 4.2K에서 44% 이상 저항이 크게 변화하는 현상을 최초로 발견하고 거대자기저항현상(GMR)이라고 명명하였다. 거대자기저항 현상은 전자가 이웃한 자성층을 통과할 때 두 자성층의 자화배열이 평행이냐, 반평행이냐에 따라 박막의 저항 값이 변화하는 것에 기인하는 것으로 스핀 의존산란(Spin-dependent Scattering)으로 설명이 되어진다. 현재 GMR 현상은 학문적 관심 뿐만 아니라 그 응용성 면에서 산업계에서도 비상한 관심을 기울이고 있다. GMR 헤드는 현재의 하드디스크 용량 한계를 극복하고 비약적인 용량 증대를 도모하는데 필수적이며, 그 연구결과로 현재 GMR 헤드 응용으로 가장 각광받고 있는 스핀밸브 구조(Spin Valve structure)가 개발되었다.