나노전자 저항 변화 메모리
페이지 정보
- 용어
- 저항 변화 메모리
- 요약
- 전압-전류 특성에서 스위칭 형태의 저항의 변화를 보여주는 박막 형태의 저항체를 이용한 메모리
- 참고문헌
- - 이동수 외. 물리학과 첨단기술, 2005년 9월호 p30
- I. G. Baek et al. "Highly Scalable Non-volatile Resistive memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric unipolar Voltage Pulses", in 2004 IEDM Tech. Dig.
- http://dtfl.snu.ac.kr/research/rram.htm
- Internatio - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
MIM(Metal-Insulator-Metal) 샌드위치 구조로 된 금속전극 사이에 산화물 박막(NiO, TiO, SrZrO3 등), 고분자 박막 등을 삽입하면 전류-전압 특성에 따라 급격한 저항변화를 보이는 스위칭 효과가 일어난다. 이러한 외부 전류/전압조건을 이용하여 저항을 조절할 수 있고, 비휘발성인 특성을 이용하여 메모리 구조를 구현한다. 절연파괴시 발생하는 필라멘트형 전류경로가 산화막을 사용한 RRAM의 원리로 추정되고 있지만, 정확한 작동원리는 아직도 연구 중에 있다. 종래의 플래시 메모리보다 쓰는 속도가 10만배 이상 빠르고 구조가 간단하여 생산단가가 DRAM보다 낮아질 수도 있어서 SoC(System on Chip) 등의 구현에 적합하다.
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