나노전자 상변화 메모리
페이지 정보
- 용어
- 상변화 메모리
- 요약
- 물질의 상변화에 의한 저항의 차이를 메모리 정보로 이용하는 메모리 소자
- 참고문헌
- - http://gaas.ec.t.kanazawa-u.ac.jp/~naka/siryou/pram_en.pdf
- http://ovonyx.com/
- International technology roadmap for semiconductors (ITRS) 2005-Emerging research devices
(http://www.itrs.net/Common/2005ITRS/ERD2005.pdf) - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
CD-RW, DVD 등의 광디스크에 쓰이는 GST라고 불리는 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te)의 혼합물인 칼코게나이드(Chalcogenide) 합금의 고체 결정상태에 따라 광특성과 저항특성이 변하는 성질을 이용하여 메모리로 구현할 수 있다. 칼코게나이드를 600℃이상 가열하였다가 급속냉각을 하면 저항이 큰 무정형질(amorphous)이 되고, 결정질의 임계온도까지 올렸다가 내리면 작은 저항을 가진 결정질이 된다. 10ns 이하의 빠른 속도로 변환할 수 있어 저항변화를 탐지하는 소자구조를 구현함으로써 비휘발성 메모리로 사용할 수 있다. 현재 65nm 스케일의 64Mb 테스트 칩이 시연되었으며, 22nm까지도 가능할 것으로 보인다. 2005년 12월 28일 삼성과 Ovonyx사가 PRAM에 관한 특허권 계약을 맺어 곧 상용화에 대한 기대감이 높아지고 있다.