나노전자 나노 플래시 메모리
페이지 정보
- 용어
- 나노 플래시 메모리
- 요약
- 플로팅(floating) 게이트 구조에 전하를 주입하거나 제거함으로써 생기는 비휘발성 전기장에 의한 채널 저항 차이를 이용한 메모리 구조
- 참고문헌
- - http://www.semiconplus.org/webzin/n_view_sub.asp-pSeq=15&pCategory=3
- International technology roadmap for semiconductors (ITRS) 2005-Emerging research devices
(http://www.itrs.net/Common/2005ITRS/ERD2005.pdf) - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
게이트와 채널 사이에 플로팅 게이트 전극구조를 형성하고 전하를 터널링에 의해 주입 또는 제거함으로써, 전위차에 의한 저항의 크기 차이를 이용하여 메모리를 구현한 것이다. 전하를 주입하고 제거할 때 시간이 걸리기 때문에 고속동작은 어려우나 간단한 구조와 비휘발성 특성 때문에 고집적이 가능하여 이동성 메모리 소자로 널리 쓰이고 있다. 하지만 전하의 주입, 제거 횟수에 제한이 있어서 원리적으로는 무한대로 쓸 수 없고 느리다는 단점이 있다. NAND형, NOR형 두가지 형태로 상용화 되고 있으며 향후 PRAM, RRAM, FeRAM, MRAM 등의 차세대 비휘발성 메모리로 대체될 가능성이 있다. 최근에는 나노입자를 이용한 플로팅 게이트 구조를 구현한 나노 플로팅게이트 메모리도 활발히 연구되고 있고, 플로팅 게이트 간의 상호작용으로 인해 30~40nm 정도가 한계 크기가 될 것으로 예상된다.
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