용어의 정의

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2차원 평면구조의 실리콘 (MOSFET)을 작게 줄이는데 걸림돌인 단채널 효과를 감소시키고 작동전류의 크기를 증가시키기 위해 물고기 지느러미처럼 수직으로 형성된 채널을 3차원으로 둘러싼 게이트 구조를 만들어서 채널에 대한 게이트의 영향력을 극대화시킨 소자이다. 단채널 효과란 트랜지스터의 게이트 길이가 줄어들면서 2차원 채널효과에 의한 누설전류가 늘어 소자특성이 나빠지는 현상을 말한다. 이러한 다중 채널 디자인을 통해 수 nm급의 FET에서도 누설전류 감소, 증폭율의 향상, 빠른 스위칭 속도, 저전력/저전압 구동뿐만 아니라, 기존의 실리콘 공정을 활용 가능하다는 커다란 장점을 가지고 있다. FinFET 구조는 향후 10년 내에 나노 스케일의 CMOS 소자를 위한 가장 유력한 후보 기술로 주목받고 있다. 최근 KAIST 최양규 교수팀에서 3 nm 급의 FinFET 트랜지스터 개발이 보고되었다.