나노공정 나노각인, 나노임프린팅
페이지 정보
- 용어
- 나노각인, 나노임프린팅
- 요약
- 전자빔 리소그래피를 이용하여, 나노스케일의 구조를 갖는 스탬프를 제작하고, 스탬프를 고분자 박막에 각인하여 나노스케일의 구조물과 소자를 만드는 방법
- 참고문헌
- - S,. Zanchovych et al., Nanaotechnology, 12 91-95 (2001)
- S. Y. Chou et al, Science, 272, 85-87 (1996)
- J. Taniguchi et al, Jpn J Appl. Phys. 41 : 4194-4197 (2002)
- 이성은 외, “나노임프린트리소그래피”, 나노 공정·측정 기술, 한국과학기술정보연구원 (2002)
- http://www.ee.princeton.ed - 분류
- 나노공정 > 나노가공공정
본문
나노 임프린트 리소그래피(NIL)는 1990년대 중반 미국 프린스턴 대학교의 Stephan Y. Chou 교수에 의해 도입된 나노 제작 방법으로, 낮은 생산성을 갖는 전자빔 리소그래피를 보완할 기술로 주목받고 있다. NIL기술은 컴팩 디스크(CD)와 같은 마이크로 스케일의 패턴을 갖는 고분자 소재 제품의 대량 생산에 사용되는 엠보싱/몰딩 기술을 리소그래피에 적용한 것이다. NIL의 핵심은 전자빔 리소그래피를 이용하여, 나노 스케일의 구조를 갖는 스탬프를 제작하고, 스탬프를 고분자 박막에 각인하여, 나노스케일의 구조를 갖는 스탬프를 제작하고, 이를 반복 사용함으로써, 전자빔 리소그래피의 생산성 문제를 극복하는 것이다.NIL 공정에서 먼저 실리콘과 같은 기판에 고분자 박막을 스핀 코팅한다. 전자빔 리소그래피 또는 광리소그래피에 의해서 제작된 스탬프와 기판을 평행하게 놓고, 고분자의 유리 전이 온도까지 가열한다. 스탬프를 고분자 박막과 물리적 접촉을 시키고, 압력을 가한 후, 온도를 낮춘다. 온도가 유리 전이 온도 이하가 되면 스탬프와 고분자를 분리한다. 이렇게 하여, 스탬프의 패턴은 고분자 박막으로 옮겨지게 되고, 패턴된 고분자 박막은 식각이나 리프트 오프(lift-off) 공정을 위한 마스크로 사용될 수 있다. 또한 고분자 자체가 전기적 광학적 특성을 가졌을 경우에는 소자자체로도 사용이 가능하다.