나노공정 딥 펜 나노리소그래피
페이지 정보
- 용어
- 딥 펜 나노리소그래피
- 요약
- 우리가 만년필을 이용하여 글자를 쓰듯이 AFM 팁을 이용하여 우리가 코팅하고자 하는 원자나 분자를 원하는 기판에 쓰는 것
- 참고문헌
- - Ginger DS, Zhang H, Mirkin CA, “The evolution of dip-pen nanolithography”, Angewandte Chemie-International Edition, 43 (1) pp 30-45 (2004)
- Mirkin Research Group(? http://www.chem.northwestern.edu/~mkngrp)
- Yan Li, Benjamin W. Maynor, and Jie Liu,"E - 분류
- 나노공정 > 리소그래피
본문
이 방법의 장점은 positive pattering이 가능하고 원하는 위치에 서로 다른 분자들을 패터닝 할 수 있다. 그리고 다른 나노 리소그래피에서 필요로 하는 레스스트(resist), 스탬프(stamp), 복잡한 공정 등이 필요하지 않고 장치가 간단하다. 즉, 일반적으로 사용되는 AFM을 이용하여 수행할 수 있다.
DPN을 이용하여 나노패턴을 형성할 시 해상도(resolution)에 영향을 미치는 주요 인자들로는 ① 기판(substrate) 결정크기, ② 기판과 분자의 상호작용, ③ 팁과 기판의 접촉시간과 스캔속도, ④ 습도가 있다.
위의 그림은 DPN 기술을 이용하여 Au(111)기판에 MHA (16-mercaptohexadecanoic acid) 분자를 이용하여 쓴 문자이다. 지금까지 발표된 것들 중에서 가장 작은 선폭을 가진 것이다. Mirkin 박사는 탄소나노튜브로 만든 AFM 팁을 이용하면 더 작은 패턴닝도 가능할 것이라 예견했다.
또한 DPN 기술을 이용하여 나노미터수준의 실리콘 패턴닝을 얻을 수 있고, 정렬시키고자 하는 물질과 반응성이 있는 물질을 기판에 나노패터닝한 후에 나머지 부분을 반응성이 없는 물질로 패시베이션(passivation)하여 원하는 사이트에서만 반응이 일어나게 함으로써 나노입자를 정렬시킬 수도 있다.