나노전자 테라급 나노소자
페이지 정보
- 용어
- 테라급 나노소자
- 요약
- 테라비트 급의 저장용량, 혹은 테라헤르츠 급의 처리속도를 가진 소자
- 참고문헌
- - http://www.nanotech.re.kr
- http://www.ktechno.co.kr/
- http://swallow.kistep.re.kr
- http://ossiat.bia.ms.kr/ - 분류
- 나노전자 > 나노포토닉스
본문
테라(tera)는 10의 12제곱승(1012)을 나타낸다. 테라급 반도체의 개발은 컴퓨터 저장 용량을 1000배 이상 향상시킬 수 있는 주요한 기반을 제공한다. 국내에서는 지난 2000년부터 과학기술부에서 프론티어 사업으로 10년간 1000억원의 예산을 투자하는 “테라급나노소자개발사업단”(단장 이조원)을 출범시켜 진행 중에 있다.
현재 8개 기업, 22개 대학, 5개 출연(연)등이 참여하고 있는 테라급 나노소자 개발 사업단은 테라급 Nano-Flash, Nano-CMOS, SET, CNT소자 및 RT-based 초고속 IC의 Integration 요소기술 개발을 하고 있으며, 256M급 MRAM/PRAM 요소기술 및 Integration 기술 개발을 하고 있다. 또한 25nm급 요소 기술 개발에 박차를 가하고 있다.
주요 성과로는, 테라급(30nm) SONOS 메모리소자, 40nm급 Double Gate COMS소자및 20nm급 SET 온칩을 구현하였으며, 256M 급 1kbit Array MRAM을 구현하였고, 제어가 가능한 수직형 CNT소자를 개발하는데 성공했다. 또한 신개념 무손상 식각공정 및 장비, 신개념 양자점 선 형성 Lithography장비 원천 기술 확보 및 초고속(2mm/sec) AFM 패터닝 구현에 성공하였다.
우리나라 주력 수출 품목인 반도체의 소자 기술을 한 단계 끌어올리며 소자를 이용한 다양한 핵심기술사업의 기반기술을 제공할 것으로 기대된다.
현재 8개 기업, 22개 대학, 5개 출연(연)등이 참여하고 있는 테라급 나노소자 개발 사업단은 테라급 Nano-Flash, Nano-CMOS, SET, CNT소자 및 RT-based 초고속 IC의 Integration 요소기술 개발을 하고 있으며, 256M급 MRAM/PRAM 요소기술 및 Integration 기술 개발을 하고 있다. 또한 25nm급 요소 기술 개발에 박차를 가하고 있다.
주요 성과로는, 테라급(30nm) SONOS 메모리소자, 40nm급 Double Gate COMS소자및 20nm급 SET 온칩을 구현하였으며, 256M 급 1kbit Array MRAM을 구현하였고, 제어가 가능한 수직형 CNT소자를 개발하는데 성공했다. 또한 신개념 무손상 식각공정 및 장비, 신개념 양자점 선 형성 Lithography장비 원천 기술 확보 및 초고속(2mm/sec) AFM 패터닝 구현에 성공하였다.
우리나라 주력 수출 품목인 반도체의 소자 기술을 한 단계 끌어올리며 소자를 이용한 다양한 핵심기술사업의 기반기술을 제공할 것으로 기대된다.