나노전자 자기터널접합
페이지 정보
- 용어
- 자기터널접합
- 요약
- 터널자기저항(TMR)을 보이는 단위소자로서 자기메모리(MRAM)에의 응용 가능성이 가장 큼
- 참고문헌
- - Proceedings of the IEEE, 91, 5 (2003)
- http://www.almaden.ibm.com/st/magnetism
- http://e-www.motorola.com - 분류
- 나노전자 > 양자과학기술
본문
자기터널접합은 비자성 절연층을 사이에 둔, 두 개의 강자성층으로 이루어져 있다. 두 개의 강자성층 중 하나는 고정되어 있고 다른 하나는 외부 자장에 의해서 자화방향이 바뀔 수 있도록 되어 있다. 두 개의 강자성층이 같은 방향으로 자화되어 있을 때는(위 그림의 왼쪽), 적당한 크기의 인가 전압에 의해서 충분히 얇은 절연막을 통하여 터널링함으로써 전류가 흐를 수 있다. 반면에, 서로 다른 방향으로 자화되어 있을 때는(위 그림의 오른쪽), 전류의 흐름이 제한을 받는다. 이러한 현상을 터널자기저항(TMR)이라고 하며, 최근 눈부신 발전을 거듭하여 70% 이상의 자기저항비를 가지는 자기터널접합을 제조하였다.
향후, 새로운 물질과 구조, 최적의 공정기술 등을 확보함으로써 수백 %의 자기저항비를 보이는 자기터널접합을 제조할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 이러한 고성능 자기터널접합은 DRAM에 필적하는 밀도와 SRAM에 근접하는 속도를 겸비하여 차세대 비휘발성 메모리로서 각광받고 있는 자기메모리의 상품화에 결정적인 기여를 할 것이다.
- 이전글양자비트, 큐빗 07.04.03
- 다음글열보조 자기기록 매체 07.04.03