나노전자 단전자메모리
페이지 정보
- 용어
- 단전자메모리
- 요약
- 부동게이트를 극단적으로 작게 하여 양자점 형태로 만든 기억소자
- 참고문헌
- - K. K. Likharev, Proc. IEEE 87 No. 4, 606 (1999)
- S. Tiwari et al., Tech. Dig. Int. Electron Devices Meeting, 521 (1995)
- http://smdl.snu.ac.kr/research.html - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
조절 게이트(control gate)와 전류전도 채널(channel) 사이에 부동 게이트(floating gate)를 두어 이곳에 전자를 저장하는 플래시메모리(flash memory)와 근본적으로 같은 구조로, 부동 게이트를 극단적으로 작게 하여 양자점(quantum dot) 형태로 만든 기억 소자를 말한다. 채널과 양자점 사이에서는 전자의 터널링(tunneling)이 허용되고 양자점과 조절 게이트 사이에서는 터널링이 허용되지 않는 형태로, 전자 하나가 양자점으로 들어갈 때마다 정전기적 차단(Coulomb blockade) 효과가 나타나 저장되는 전자를 한 개씩 통제하여 저장할 수 있는 궁극적인 메모리 소자이다. 그림에서와 같이 단일 양자점과 좁은 폭의 채널을 갖는 구조와 비교적 넓은 채널 위에 다수의 양자점을 배열한 나노크리스탈 메모리 구조도 있다.
