나노전자 강유전성 메모리
페이지 정보
- 용어
- 강유전성 메모리
- 요약
- 전기장에 따라 다른 자발 분극현상이 나타나는 강유전체의 성질을 이용하여 변화된 측전용량을 전위차의 변화로 읽고 쓰는 비휘발성 메모리 소자
- 참고문헌
- - http://skku.ac.kr/~dhyoon/DATA/EmergingMemory_SKKU.pdf
- International technology roadmap for semiconductors (ITRS) 2005-Emerging research devices
(http://www.itrs.net/Common/2005ITRS/ERD2005.pdf) - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
강유전체 물질은 전기장에 따라 유전분극의 정도가 달라지고, 전기장이 0인 경우에도 자발분극현상이 있어 다른 두가지 상태를 지니게 된다. 달라진 축전용량에 따른 전위차를 검지하여 메모리로 구현한다. 직전의 자발분극 현상이 유지된다는 점에서 비휘발성 메모리 특성을 지니며, 읽고 쓰는데 빠르고 소모전력이 적고, 떠있는 게이트 축전지 구조를 이용하는 플래쉬 메모리와는 달리 쓰는 횟수에 제한이 없다. 사용에 따른 피로현상과 같은 강유전체 자체의 열화특성 등은 여전히 개선될 필요가 있다.
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