나노전자 비휘발성자기메모리, 강자성메모리, 마그네틱램
페이지 정보
- 용어
- 비휘발성자기메모리, 강자성메모리, 마그네틱램
- 요약
- 자기저항의 차이에 따른 정보 저장 원리를 이용한 비휘발성 메모리
- 참고문헌
- - Nanoelectronics and Information Technology, Ed. by Rainer Waser, Wiley-VCH, Chap.23 Magnetoresistive RAM (2003)
- http://www.research.ibm.com/journal/rd50-1.html - 분류
- 나노전자 > 나노소자
본문
터널 접합소자에서 전자의 스핀 정렬방향에 따라 저항차가 생기는 스핀 편광 전도(Spin polarized transport) 특성을 메모리로 집적한 소자이다. 같은 방향의 스핀을 가진 전자가 전도될 때에는 저항이 작고 반대 방향의 스핀을 가진 전자가 전도될 때에는 저항이 큰 특징이 있다. DRAM의 집적도와 SRAM의 속도, 저전압 구동, 비휘발성이라는 장점을 고루 보유하고 있지만, 자기저항을 그대로 유지한 체 소자크기를 줄이는 기술과 자기 비트를 반전하기 위한 국소 자기장 발생 기술, 안정된 자기상태를 유지한 체 재현성의 확보기술, 소자의 집적으로 인한 자기장 영향 등이 아직 해결해야 할 관건으로 남아있다.