정책센터 나노 자성기억소자(MRAM) 기술
페이지 정보
- 발행기관
- 한국과학기술정보연구원, 고려대학교
- 저자
- 서주환, 이일형, 최붕기, 김영근, 조지웅
- 발행일
- 2007-12-31
- 조회
- 5,223
- 원문
-
- [분석보고서 2007]_나노자성기억소자.pdf (1.5M) 1639회 다운로드 | DATE : 2008-06-19 00:00:00
본문
21세기 거대 기간산업의 하나인 정보저장 산업은 지속적이며, 새로운기술혁신이 필요한 분야로 우리나라의 국부를 창출하고 있는 산업분야이다. 최근 들어 세계적으로 노트북 PC를 비롯한 PDA, MP3, 디지털 카메라, 휴대형 단말기 등 각종 정보제품들은 초소형화, 고속화, 지능화의 방향으로 빠르게 진화하고 있다. 또한 유비쿼터스, 홈네트워킹, 모바일 컴퓨팅 등 새로운 기술의 발전으로 인한 정보환경 변화로 Gb급 초고집적, ns급 초고속 비휘발성 메모리에 대한 수요가 날이 갈수록 증대되고 있는 실정이다. 이러한 정보저장에 대한 수요는 매 5년마다 10배씩 증가하는 추세에 있다. 휴대용 단말기의 경우 이미 연간 6억대를 넘는 세계 유통시장을형성하고 있으며, DMB 방송수신, 의료용 자가진단, 화상통신 등 새로운기능 및 컨텐츠가 추가된 신제품 개발은 이미 무한 경쟁체제에 돌입하고있다. 또한 초고속 컴퓨터, RFID, 의료기기, 일반가전에서 우주항공에 이르기까지 모든 전자기기들을 네트워킹화하려는 시도가 진행되면서 중계기, 단말기 및 통신부품 등에 사용되는 메모리의 성능 또한 고집적, 고속,고기능화를 목표로 지속적인 개발이 요구되고 있다.
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