정책센터 나노 CMOS
페이지 정보
- 발행기관
- 한국과학기술정보연구원, 충남대학교
- 저자
- 이일형, 김경호, 소대섭, 이가원
- 발행일
- 2006-12-26
- 조회
- 5,107
- 원문
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- [분석보고서2006]나노 CMOS.PDF (10.7M) 2222회 다운로드 | DATE : 2007-06-12 00:00:00
본문
현재 반도체 소자의 주류를 이루고 있는 MOSFET의 채널 길이는 무어의 법칙에 따라 3년마다 절반 수준으로 감소하여 왔다. <그림 1-1>은 ITRS 로드맵으로 현재까지 CMOS 트랜지스터의 게이트 길이 감소 속도를 보여준다. 이를 살펴보면 이미 1999년도에 게이트 길이는 100nm 이하로 감소하여 나노기술의 시대로 들어갔음을 알 수 있다. 이러한 추세라면 2010년도까지는 기존의 미세화 기술에 바탕을 둔 50nm 노드가 개발되리 라 여겨진다.
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