정책센터 스핀정보를 이용한 메모리 소자 기술
페이지 정보
- 발행기관
- 한국과학기술연구원 / 한국과학기술정보연구원
- 저자
- 신경호 / 강상규
- 발행일
- 2002-12-12
- 조회
- 3,512
- 원문
-
- 스핀정보메모리소자.pdf (1.9M) 102회 다운로드 | DATE : 2007-06-28 00:00:00
본문
스핀정보를 이용한 메모리소자 기술은 기존의 전자소자와 비교하여 스핀전자소자의 고유 특성인 비휘발성 (non-volatility)과 함께 초고속, 초저전력 및 초고밀도 등의 특성을 가지고 있기 때문으로 향후 나노기술과 함께 전자소자의 혁명적 성장을 주도 할 것으로 전망되고 있다.
또한 기존의 트랜지스터 및 DRAM (dynamic random access memory)등과 같은 반도체를 기반으로 한 전자소자들은 반도체 내의 캐리어 전하만을 전기장을 사용하여 제어하는데 반해 스핀전자소자 (spintronics device)에서는 전자가 가지는 전하와 스핀을 전기장/자기장을 사용하여 각각 제어하는 것이다. 스핀트로닉스의 기본원리와 국내외 연구동향을 살펴보았다.
또한 기존의 트랜지스터 및 DRAM (dynamic random access memory)등과 같은 반도체를 기반으로 한 전자소자들은 반도체 내의 캐리어 전하만을 전기장을 사용하여 제어하는데 반해 스핀전자소자 (spintronics device)에서는 전자가 가지는 전하와 스핀을 전기장/자기장을 사용하여 각각 제어하는 것이다. 스핀트로닉스의 기본원리와 국내외 연구동향을 살펴보았다.
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