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National Nanotechnology Policy Center

정책연구보고서

정책센터 스핀정보를 이용한 메모리 소자 기술

페이지 정보

발행기관
한국과학기술연구원 / 한국과학기술정보연구원
저자
신경호 / 강상규
발행일
2002-12-12
조회
3,512
원문

본문

스핀정보를 이용한 메모리소자 기술은 기존의 전자소자와 비교하여 스핀전자소자의 고유 특성인 비휘발성 (non-volatility)과 함께 초고속, 초저전력 및 초고밀도 등의 특성을 가지고 있기 때문으로 향후 나노기술과 함께 전자소자의 혁명적 성장을 주도 할 것으로 전망되고 있다.
또한 기존의 트랜지스터 및 DRAM (dynamic random access memory)등과 같은 반도체를 기반으로 한 전자소자들은 반도체 내의 캐리어 전하만을 전기장을 사용하여 제어하는데 반해 스핀전자소자 (spintronics device)에서는 전자가 가지는 전하와 스핀을 전기장/자기장을 사용하여 각각 제어하는 것이다. 스핀트로닉스의 기본원리와 국내외 연구동향을 살펴보았다.