정책연구보고서

트랜지스터, DRAM 등과 같이 반도체를 기반으로 한 현재의 전자소자 기술은 반도체 내의 charge carrier(음의 전하를 가진 electron과 양의 전하를 가진 hole)를 전기장을 사용하여 제어하고 있다. 그러나 전자의 물리적 성질에는 전하뿐 아니라, 동시에 양자역학적 특성인 스핀이 있으며, 스핀은 자기장을 사용하여 제어하여왔다.
인류는 전자가 갖는 물리적 특성에서 전하를 주로 이용하여왔다. 스핀과 빛, 그리고 파동성을 모두 이용한 새로운 학문과 기술이 열리게되고, 그 것이 자성 나노소자이다. 나노자성소자 기술의 핵심은 전자가 가지는 전하와 스핀을 전기장/자기장을 사용하여 전하와 스핀을 동시에, 또는 각기 제어하는 것이다. 하나의 예로서 스핀 분극된 전자의 이동을 제어하는 것을 들 수 있다.