정책연구보고서

미국 IBM사를 필두로 몇몇의 반도체생산 기업들이 새로운 비휘발성 메모리의 제품화에 박차를 가하기 시작했다. 사용자가 열망하는 고속, 저소비전력의 비휘발성 메모리개발을 우리가 먼저 할 수 있다면, DRAM과 Flash, EEPROM의 합계만으로도 40조원을 가볍게 넘는 세계 메모리 시장에서 막대한 시장의 획득이 가능하다.
그 중에서 가장 유망한 것이 자성재료를 사용하는 MRAM으로서, 2000년 12월 7일 IBM에서는 지난 1974년부터 개발해 오고 있던 하드디스크와 메모리의 중간형 제품인 MRAM의 상용화 계획을 발표하기에 이르렀다. 2004년에 0.13 마이크론 프로세스 기술을 사용한 256Mbit급 MRAM을 출시한다는 것이다. 본 고에서는 기존 메모리소자의 문제점, MRAM의 특성 및 국내외 연구개발동향과 전망에 대하여 기술하였다