나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자 반도체(DS) 부문은 10나노급 6세대 D램 공정에 메모리 업계 최초로 ‘드라이 레지스트’ 기술을 도입하기 위한 자체 평가를 진행

● 드라이 레지스트 기술은 빛으로 반도체 회로를 새기는 노광 공정 직전에 활용되어, 액체 PR(감광액)을 쓰지 않고 화학반응으로 웨이퍼 위에 얇은 막을 쌓아 초미세 회로를 더욱 정확히 찍을 수 있는 장점을 보유

● 삼성은 10나노급 6세대 D램을 구성하는 40~50개 층에서 한 개의 회로층에 이 기술을 쓰는 방안으로 검토하고 있으며, 초미세 회로를 찍어내는 극자외선(EUV)용 PR로 활용할 예정