나노기술 및 정책 정보

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● 국내 반도체 기업인 삼성전자는 2022년 3 나노미터(㎚) 공정부터 차세대 GAA (Gate-All-Around) FET 공정을 도입하여 대만 TSMC와의 기술 격차를 좁힐 계획

● 삼성전자는 게이트가 채널을 전방위로 감싸는 GAA 구조의 트랜지스터를 고안해 MBC(Multi Bridge Channel) FET 공정을 독자적으로 구축했으며, 해당 공정은 기존 7나노 핀펫 공정과 비교했을 때 소비전력이 약 50% 절감되고, 성능은 30% 정도 개선되며, 공간도 약 45%나 줄이는 것이 가능

● TSMC가 내년 중에 선보일 3 나노미터 제품은 기존 핀펫 공정으로 생산되므로 같은 3나노 제품이라도 삼성전자가 GAA 기술을 적용한 제품보다 성능이 떨어질 것으로 예상

※ 용어설명

- GAA(Gate-All-Around) FET: 게이트와 채널이 네 면으로 접하는 구조로 FinFET 보다 채널 폭이 증가했고, 크기가 작아져 충분한 온전류 확보가 가능

- FinFET: 기존 평면구조였던 트랜지스터의 한계를 극복하기 위해, 채널을 3차원 구조로 만들었으며, 그 결과 게이트와 채널의 접촉면적이 늘어 전류 효율이 크게 증가