나노기술 및 정책 정보

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● 성균관대학교 임재훈 교수, 한국과학기술원 이도창 교수 공동 연구팀이 QLED의 무장벽 전하주입 현상의 원리를 규명

● 각 전극을 통해 주입된 전자와 정공이 양자점에서 만나 발광하는 QLED에서 양자점 주변 전기전도층이 전자와 정공의 흐름을 방해하는 장벽이었기 때문에 적색 QLED는 가시광선에 해당하는 에너지인 2V를 초과하는 구동전압이 필요

● 연구팀은 1.5V 전압으로도 빛을 낼 수 있게 하였고, 양자점 표면 결함이 양자점을 중심으로 배열된 서로 다른 소재간 에너지 준위 재정렬을 유도해 전하 주입 장벽을 어느 정도 상쇄한다는 것을 규명

● 구동전압이 낮을수록 소자작동에 필요한 에너지가 줄어 상용화에 유리해 저전력, 고효율 양자점 전계발광소자 구현 원리를 제시한 이번 연구결과가 고해상도·장수명 디스플레이 구현을 앞당길 것으로 기대

※ Nature Communi cations 게재 (2021.09.27)

※ 과학기술정보통신부와 한국연구재단의 나노·소재 기술 개발사업, 신진연구사업, 미래소재디스커버리사업의 지원