나노기술 및 정책 정보

• 목록

● 광주과학기술원(GIST) 이종석 교수 연구팀은 반도체 표면에서 광여기된 전자들의 초고속 거동을 추적하고 이에 따른 표면 전기장 형성 과정을 규명

● 연구팀은 시분해 비선형 분광 기법을 활용해 시료의 크기를 줄이지 않은 채 표면에서의 초고속 전자 움직임을 실시간으로 추적하는데 성공

● 대표적인 극성 반도체인 갈륨비소(GaAs)와 인듐비소(InAs)에서 광여기 된 전자에 의해 nm두께에서 초고속으로 형성되는 표면 전기장을 펨토초-시분해 제2차 고조파 생성 기술을 통해 실시간으로 관측

● 특히 펨토초 레이저를 이용한 시분해 기술을 통해 광전하의 이동에 따른 전기장이 수백 펨토초에 걸쳐 형성되며 수십 피코초(1조분의 1초) 수준에 걸쳐 사라진다는 사실을 규명 

※ Applied Surface Science 게재