나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자는 GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정을 양산하겠다고 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 통해 공개

● GAA는 반도체 전류 조절 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 성능 및 효율을 높인 새로운 구조 공정 기술을 의미하며 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적

● 특히 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상 

● 추가로 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 MCU(Micro Controller Unit)에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT, 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원하며, 8나노 RF(Radio Frequency) 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 mmWave 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획