나노기술 및 정책 정보

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● 울산과학기술원(UNIST) 이종훈 교수와 포항공대(POSECH) 펑딩 교수 공동 연구팀은 2차원 흑린을 이용해 선폭 4.3Å(0.43nm)의 전도성 채널을 구현

● 흑린은 원자 단층의 두께를 보유하며, 2차원 반도체 소재중 전자이동도가 가장 크고, 밴드갭을 보유하여 전도성의 제어가 가능한 포스트 그래핀 시대의 유망한 반도체 소자이나, 2차원 물질들을 소자화하는 공정 과정에서 발생하는 결함을 방지할 필요 보유

● 연구팀은 전극으로 활용될 수 있는 전도성 채널을 제작하기 위해 흑린에 얇은 구리 박막을 증착한 뒤 열처리를 통해 다층의 2차원 흑린 각 층 사이에 구리 원자를 삽입

● 연구팀은 전도체/반도체/전도체 소자 구조를 2nm 이하 수준에서 형성할 수 있음을 제시하였으며, 나노미터 한계를 뛰어넘는 Å(옹스트롬, 0.1nm) 단위 선폭의 초극미세 반도체 소자 제작의 가능성을 실험적으로 제시

● 해당 연구는 2차원 반도체 물질인 흑린을 이용한 초미세 반도체 소자 실현 가능성을 보여준 연구이며, 현재 반도체 공정에 사용될 수 있는 고상확산법을 이용하였기 때문에 실제 응용 효과가 클 것으로 기대

※ Nano Letters 게재(2021.07.29.), "Anisotropic Angstrom-Wide Conductive Channels in Black Phosphorus by Top-down Cu Intercalation"