나노기술 및 정책 정보

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● 남수지 박사(한국전자통신연구원) 연구팀은 텔루륨(Te) 기반의 칼코지나이드계 p형 반도체 소재를 활용해 상온 증착이 가능하면서도 공정이 단순한 p형 Se-Te(셀레늄-텔루륨) 합금 트랜지스터를 개발

● 연구팀은 Te에 Se을 첨가함으로써 채널층의 결정화 온도를 높여 상온에서 비정질 박막을 증착한 후, 후속 열처리를 통해 이를 결정화한 p형 반도체 개발에 성공

● 이어 연구팀은 Te 기반의 p형 반도체를 n형 산화물 반도체 박막 위에 이종접합 구조로 도입하였을 때, Te의 두께에 따라 n형 트랜지스터의 전자 흐름을 제어하여 n형 트랜지스터의 문턱전압을 조절할 수 있음을 확인

● 본 연구는 향후 OLED TV와 확장현실(XR) 기기 등 차세대 디스플레이 분야와 초저전력 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 회로 및 DRAM 메모리 연구 등에 활용될 전망

ACS Applied Materials & Interfaces (2024.06.10.), Tuning the Threshold Voltage of an Oxide Thin-Film Transistor by Electron Injection Control Using a p-n Semiconductor Heterojunction Structure