나노기술 및 정책 정보

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● 포항공과대학교 이장식 교수 연구진이 페로브스카이트를 이용하여 엄청난 양의 다양한 정보를 빠른 속도로 처리하고 저장할 수 있는 차세대 메모리인 저항변화메모리 소자 개발

● 납이 포함되어 있는 기존 페로브스카이트 소재의 환경오염 문제와 메모리 소자로서의 느린 동작속도를 개선하기 위하여 새로운 페로브스카이트 소재 개발

● 연구진은 이동화 교수 연구진과의 공동연구를 통해 양자역학 기반의 제일원리계산을 이용하여 기존 페로브스카이트 소재들보다 빠른 속도로 동작이 가능한 다이머 구조의 Cs3Sb2I9 소재를 발굴한 후 메모리 소자에 적용하여 기존 페로브스카이트 소재를 사용한 메모리 소자보다 100배 이상 향상된 20ns(1억분의 2초)의 동작속도 구현

● 계산과학을 적용하여 우수한 소재를 미리 선별함으로써 실험을 통해 수백, 수천 종의 소재들을 검증하는데 소요되는 시간과 비용을 획기적으로 절약

※ Nature Communications 게재(on-line)

※ 과학기술정보통신부