나노기술 및 정책 정보

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● SK하이닉스가 EUV를 도입하여 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8기가비트 모바일 D램의 양산을 7월 초 시작

● SK하이닉스는 본 제품을 통해 확보한 안정적인 EUV 공정기술을 향후 1a D램 모든 제품에 적용 추진

● 4세대(1a) D램은 3세대(1z) D램에 비하여 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 D램의 수량이 약 25% 향상되어 원가 경쟁력 향상에 기여

● 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 감축하여 탄소 배출 저감에 기여