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한국광기술원 AI에너지연구센터 손명우 박사팀이 저온 합성공정 기술을 이용, 반도체 전극의 물리적 손상을 방지하는 고성능 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술을 세계 최초로 개발했다고 밝힘. 연구팀은 이러한 문제 해결을 위해 벤젠이나 피리딘 등의 액상 탄소소스를 그래핀 공정에 사용, 400℃ 이하의 저온 상압 화학기상증착법으로 기판이나 반도체의 물리적 손상 없이 그래핀-구리 배선 제작에 성공함.

연구팀은 저온 합성공정의 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술로 반도체 성능 등이 개선됨에 따라 그래핀을 기반으로 한 미래형 반도체와 전자 소자 상용화에 큰 도움이 될 것이며, 특히 고효율 배터리 음극제 소재 개발 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 하게 될 것으로 기대함.

※ npj 2D Materials and Applications 게재