나노기술 및 정책 정보

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● 전력반도체 전문기업인 웨이브로드는 질화갈륨(GaN) 에피택시 웨이퍼* 국산화에 도전하여, 연내 국내 전력반도체 파운드리 업체와 진행 중인 품질 평가를 끝내고 내년 초 양산공급할 계획

* 질화갈륨(GaN) 에피택시 웨이퍼 : 규소(Si)와 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 전자가 이동하는 반도체 채널 영역에만 GaN 화합물을 얇고 균일하게 성장시킨 형태

● 웨이브로드는 고주파 고출력 전력증폭 반도체에 필요한 4인치 SiC 웨이퍼 기반 GaN 에피택시 웨이퍼 양산을 시작으로, 고주파 저출력 전력증폭기 반도체용 8인치 Si 웨이퍼 기반 GaN 에피택시 웨이퍼로 제품군을 넓힐 계획

● 또한, 웨이브로드는 전기차, 신재생에너지 생산과 저장 시스템(ESS) 등에 필요한 전력 변환 반도체용 GaN 에피택시 웨이퍼는 8인치 Si 웨이퍼를 기반으로 2026년 말 양산 예정

● 본 기업은 내년 상반기 전력증폭기 반도체용 제품을 시작으로 제품군을 확대해 국내 파운드리 업체뿐만 아니라 해외 시장을 공략해 나갈 계획이며, 수입에 의존하던 전력반도체 소재를 국산화할 수 있을 것으로 기대