표준연, 반도체 산화막 두께측정 국제기준 수립 성공
페이지 정보
- 발행기관
- 뉴스1
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 발행일
- 2021-04-30
- 조회
- 1,302
- 출처 URL
본문
한국표준과학연구원이 국내 중소기업 기술로 개발한 첨단 측정 장비를 통해 1nm 이하 반도체 산화막 두께측정의 국제기준을 마련하는 데 성공함.
이번에 개발된 기술은 국제회의에서 하프늄산화막의 기준 두께를 결정하는 방법으로 채택되는 등 국제기준으로 활용됨.
※ Applied surface science 게재
- 이전글성균관대, 그래핀 코팅을 통해 리튬이온전지의 부피를 줄이는 고밀도 전극 설계기술 개발 21.05.11
- 다음글KAIST, 전기차·수소생성 핵심 '백금'사용 10배 줄인 메커니즘 규명 21.05.11