나노기술 및 정책 정보

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● 메모리 업계에서 고용량 고성능 낸드를 공급하기 위한 적층 경쟁이 다시 불붙으면서 내년 400단, 2027년에는 1000단 낸드 시대가 열릴 전망

● 삼성전자는 지난 4월 290단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했으며, 올 4분에는 첨단 기술인 QLC(쿼드레벨셀) 9세대 V낸드를 양산할 계획

● 또한, 삼성은 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산해 400단 대에 진입할 예정이며, ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 열겠다고 발표

● SK하이닉스는 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리 샘플을 공개하며 업계 최초로 내년 상반기 300단 이상 낸드플래시 메모리 양산을 예고

● 키옥시아는 지난달 웨스턴디지털과 협력해 삼성전자보다 3년 앞선 2027년 1000단 낸드를 출시한다는 목표를 발표하면서 세계 최초 1000단 타이틀을 누가 차지할지에 주목