나노기술 및 정책 정보

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● 삼성전자 및 SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV* 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토

* TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) : 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정

● HBM이 현재 8단에서 12단ㆍ16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져 포커스링* 소재가 쿼츠(석영)에서 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어난 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망

* 포커스링 : D램에 홀을 뚫기 위하여 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할

● HBM의 D램 적층 수가 16단ㆍ20단 이상에 도달하는 경우, 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 레이저로 디본딩하는 기술이 필요해 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하는 중