나노기술 및 정책 정보

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● 김용훈 박사(한국재료연구원) 및 황현상 교수(포항공대) 공동 연구팀은 3차원 초고집적 뉴로모픽 시냅스 소자 개발을 통해 인공지능 반도체 구현에 필요한 대규모 연산을 초고속, 초저전력으로 실행하는 핵심 소재 및 공정기술 개발에 성공

● 연구팀은 200℃ 이하의 저온에서 직접 2차원 나노소재인 텅스텐 나이셀레나이드(WS2)를 성장하는 합성법을 접목하여 전사 과정 없이 이온 배리어 층(Barrier-layer)을 제작해 이온 이동을 제어

● 이어 연구팀은 다중 적층 3차원 수직-반응형 ECRAM(Electrochemical random-access memory)의 독립적인 가중치 업데이트 특성을 확인해 초고집적도 3차원 기반의 시냅스 어레이 제작에 대한 잠재력을 입증

● 연구팀은 해당 소자가 95.22% 수준의 높은 손글씨(MNIST) 패턴 인식 정확도를 달성한 것을 확인하여, 향후 2차원 반도체 소재의 대면적 합성과 전자 소자 상용화 및 반도체 공정에 적용하기 위한 연구를 지속해 나갈 전망

Advanced Functional Materials (2024.03.04.), 3D Stackable Vertical-Sensing Electrochemical Random-Access Memory Using Ion-Permeable WS₂ Electrode for High-Density Neuromorphic Systems