나노기술 및 정책 정보

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● SK하이닉스는 네덜란드 장비 업체 ASML의 차세대 EUV(극자외선) 노광장비를 미세화 한계에 부딪힌 10나노 미만 D램 개발에 사용하겠다는 계획을 발표

● ASML은 이에 올해부터 기존 장비보다 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 '하이-NA EUV'의 생산과 납품에 들어갔으며 이 장비는 기존 장비 대비 제조 비용을 20~35% 절감할 수 있게 하는 것이 특징

● 차선용 미래기술연구원 담당 부사장은 메모리 반도체 패터닝 기술 한계가 심화되고 있는 상황에서 하이-NA EUV는 정밀한 미세 회로를 구현하기 위해 매우 중요한 장비라고 말하며 올해부터 본격적으로 차세대 EUV 기술을 준비중이라고 설명

● SK하이닉스는 메모리 반도체 개발 과정에서 지속적으로 회로 패턴 미세화 한계에 도전하고 있으며 양사 간의 협력을 지금보다 강화해 안정적인 양산 환경이 구축되기를 기대한다고 강조