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나노기술 및 정책 정보

DGIST, 차세대 AI 반도체 고효율 공정 기술 개발

페이지 정보

발행기관
전자신문
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노공정·분석·장비 > 나노패터닝 기술
발행일
2024-06-10
조회
241

본문

● 장재은 교수 및 권혁준 교수(대구경북과학기술원) 공동 연구팀은 나노초 펄스 레이저 기반 차세대 인공지능(AI) 메모리 트랜지스터의 고효율 공정 기술을 개발

● 연구팀은 빠른 냉각 특성뿐 아니라 짧은 파장(355nm)으로 머리카락 굵기의 2,000분의 1만큼 얇은 침투 깊이와 3,000만분의 1초의 펄스 레이저를 가진 나노초 펄스 레이저 어닐링 공정을 도입

● 연구팀은 해당 공정으로 저온에서도 강유전체와 반도체 채널이 활성화되고 고효율의 AI 반도체 특성을 갖춘 메모리 트랜지스터를 개발하였으며, 이는 1.7V 이상의 메모리 동작범위 및 10만 이상의 On-Off 전류비를 달성

● 해당 연구는 AI 시스템을 위한 강유전체 전계 효과 트랜지스터의 상용화 가능성을 높이는 새로운 접근법으로, 향후 기존 고온 공정의 한계를 극복한 3차원 통합 기술 혁신을 주도할 것으로 기대


Advanced Science (2024.05.13.), Low-Temperature Nanosecond Laser Process of HZO-IGZO FeFETs toward Monolithic 3D System on Chip Integration