나노기술 및 정책 정보

• 목록

● 화합물반도체 전문회사 시지트로닉스는 차세대 전력용 반도체로 각광받고 있는 산화갈륨(Ga2O3)*을 활용한 초고속 스위칭용 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 개발

* 산화갈륨 : 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)보다 더 넓은 에너지 밴드폭과 높은 절연파괴전계 특성을 가진 와이드밴드갭(WBG) 물질

● 시지트로닉스는 산업통상자원부의 ‘저결함 특성의 고품위 산화갈륨 에피소재 및 1㎸ 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발’ 프로젝트를 통해 1,200V급 산화갈륨 반도체를 개발

● 해당 산화갈륨 반도체는 반도체소자의 누설전류와 온저항을 최소화해 일반 가전 및 정보기술(IT) 기기 인버터 및 컨버터용, 전기차 충전 모듈ㆍK-방산ㆍK-우주항공 분야에 응용하고 전력 소모 감소·소형화·경량화에도 이바지할 전망