나노기술 및 정책 정보

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KRISS 김경중 박사 연구팀이 반도체 측정 난제로 알려져 있는 초박막의 절대 두께를 측정하는 데 성공함.

중에너지이온산란분광기(MEIS)를 이용해 나노미터급 산화막의 절대 두께를 측정할 수 있는 상호보정법을 완성함. 기존의 반도체 공정에서는 투과전자현미경(TEM), 분광타원계측기(SE), 엑스선반사측정기(XRR) 등으로 산화막 두께를 측정했으나, 이 경우 실제 측정한 산화막의 두께와 실제 두께가 차이를 보이거나 측정에 들어가는 비용 및 시간의 소모가 컸음. 해당 연구 성과로 개발된 측정기술로 하프늄산화막(HfO2)의 두께와 연구팀이 측정한 두께를 비교한 결과, 1 % 수준의 차이에서 정확하게 일치함을 보임.

해당 기술을 통해 반도체 산업 현장에 활용되어 차세대 반도체 소자의 생산 수율을 크게 향상시킬 것으로 기대됨.

※ Metrologia 게재