나노기술 및 정책 정보

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삼성전자가 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 위탁생산(파운드리) 신규 고객사로 프로그래머블반도체(FPGA) 업체 래티스를 확보함.

FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막을 형성하고 그 위에 트랜지스터를 구성함으로서 실리콘 웨이퍼 위로 올라간 절연 산화막은 트랜지스터 아래쪽 공간을 완전히 공핍되기 때문에 전자가 게이트를 거쳐 이동할 때 발생하는 기생 용량을 낮추고 누설 전류도 크게 감소시키며, 생산공정도 줄일 수 있어 원가절감이 가능한 장점을 갖춤. 

FD-SOI 공정은 차량 반도체 파운드리용으로도 경쟁력을 발휘할 것으로 예상됨.