나노기술 및 정책 정보

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최근 반도체의 경우 회로 미세화를 통해 더 많은 부품을 한 곳에 모으는 집적화를 이루고, 전자간 이동속도가 빨라져 성능이 비약적으로 개선됨. 그러나 회로 선폭을 좁힐수록 메모리 셀 간 전자가 간섭하며 오작동 가능성이 커지고, 발열이 증가함. 이를 타파하기 위해 전기배선을 연결한 뒤 개별 제품을 잘라내고 포장하는 후공정에 대한 연구가 진행되고 있음.

-SK 하이닉스의 경우 데이터가 드나드는 통로를 더 많이 뚫는 실리콘 관통전극(TSV)을 이용하여, 칩들 간 신호를 주고받는 길이가 짧아져 속도는 더 빨라지고 전력소모도 줄었으며, 완제품 크기도 더 작아질 수 있게 됨. 기존의 와이어본딩(WB) 기술보다 제품 크기를 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄이는 것이 가능한 것으로 여겨지며 제작되는 HBM 규격은 빠른 처리속도를 요하는 다양한 4차 산업 분야에 쓰이게 될 전망임.

-삼성전자는 총 133조원을 투자해 2030년까지 비메모리 반도체 1위에 등극하고자 하는 목표로 비메모리부문에 적용할 후공정 기술개발에 박차를 가하고 있음. 삼성전자의 후공정 기술개발은 삼성전기에서 두 달 전 인수한 '패널 레벨 패키지(PLP)' 기술이 대표적으로, 이 기술은 전극이 인쇄회로기판(PCB)을 거치지 않고 메인기판으로 직행하도록 포장하는 방법임. PCB가 필요 없어 크기는 줄이면서, 전자 통로를 늘려 속도는 올릴 수 있음.