[국내/R&D]초절전 '3진법 반도체' 구현 성공
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- 아이뉴스24
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- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-07-17
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- http://www.inews24.com/view/1194294 1249회 연결
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울산과학기술원(UNIST) 김경록 교수 연구팀이 초절전 ‘3진법 금속-산화막-반도체(ternary metal oxide semiconductor)’를 세계 최초로 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는데 성공함. 연구팀은 소비전력 급증의 주요 원인 중 하나인 누설 전류를 반도체 소자에서 정보를 처리하는 상태를 구현하는 데 활용함. 누설전류의 양에 따라 정보를 3진법으로 처리하도록 함. 이번 연구로 기존의 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했을 뿐만 아니라, 대면적으로 제작돼 3진법 반도체의 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 큰 의미가 있음. 현재 삼성전자 파운드리 사업부 팹(FAB)에서 미세공정으로 3진법 반도체 구현을 검증하고 있음
※ Nature Electronics 게재
※ 삼성전자 삼성미래기술육성사업 지원
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