나노기술 및 정책 정보

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한국과학기술연구원(KIST) 최원준 책임연구원 연구팀이 울산과학기술원(UNIST), 이화여자대학교와 공동으로 이산화바나듐(VO₂) 나노와이어를 밀리미터 길이로 정확하게 배치하는 정렬 공정을 개발함. 연구팀은 V자 모양의 틈이 연속 배열된 실리콘 산화물 표면 위에 오산화바나듐 박막을 올리고 700℃ 이상으로 가열하여 액체 입자 형태의 오산화바나듐을 실리콘 틈 사이에 모이게 함. 이때 온도를 낮추면 가지런히 배열된 이산화바나듐 나노와이어를 얻을 수 있음. 만들어진 나노와이어를 고분자로 옮겨 수 밀리미터 기의 변형센서를 제작했으며, 이 센서로 잡아당김과 굽힘, 뒤틀림 등 물리적인 변화를 감지함. 이번 성과는 다양한 종류의 단결정 산화바나듐 나노와이어를 이용한 웨어러블 복합센서 제작에 중요한 계기가 될 것으로 기대함

※ Nano Letters 게재