[국내/R&D]이진법 뛰어넘는 신개념 메모리 소자 기반 기술 찾았다
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- 발행기관
- 전자신문
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-06-10
- 조회
- 1,498
- 출처 URL
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- http://www.etnews.com/20190610000103 1537회 연결
본문
서강대학교 정명화 교수 연구팀이 자성 물질에서 비대칭적 상호작용에 의한 자화 방향이 존재하는 것을 규명함. 연구팀은 수직 자화를 띠는 Co/Pt 단일층, 다층 박막을 제작해 수직 방향 자화를 측정함. 그 결과 자성 물질에서 대칭적 상호작용에 의한 두 가지 자화 방향(동일·반대 방향)뿐만 아니라 비대칭적 상호작용에 의한 자화 방향도 있음을 발견함. 이번 결과는 자성 박막 사이에 존재하는 새로운 자기적 상호작용을 밝혔다는 데 큰 의의가 있음. 향후 메모리 소자의 저장 용량 한계를 극복하고 자성 소재의 구조적 문제를 해결해 새로운 형태의 자성 메모리 소자 디자인에 기여할 것으로 기대됨
※ Nature Materials 게재
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