[국내/산업]삼성전자, 파운드리 'GAA' 기술개발 로드맵 발표
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- 매일경제
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- 나노기술분류
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- 2019-05-15
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삼성전자가 메모리(D램·낸드)뿐 아니라 시스템반도체(모바일AP·이미지센서 등)에서도 세계 1위로 올라서기 위한 본격적 행보에 돌입함. 시스템반도체 경쟁력의 핵심 중 하나인 파운드리(반도체 위탁생산)에서 글로벌 1위 업체인 대만 TSMC와 기술 격차를 1년 정도 벌일 수 있는 ‘3나노’ 제품의 개발·양산 일정을 공개함.
삼성전자는 14일 미국 샌타클래라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 3나노 GAA(Gate-All-Around Early) 제품을 내년 개발하고 2021년에 양산하겠다고 밝힘. 글로벌 업체 중에서도 3나노 GAA의 개발·양산 일정을 구체적으로 공개한 것은 삼성전자가 유일함. 또한 이번 파운드리 포럼에서 팹리스(반도체 설계전문 회사)에 3나노 GAA 공정 설계 키트를 배포했으며, 3나노 공정의 설계 키트까지 팹리스에 보급해 경쟁 우위를 확보하겠다는 전략임
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