[국내/R&D]입자 고르고 균열한 '그래핀 양자점' 개발
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- 연합뉴스
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- 나노기술분류
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- 2019-01-16
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울산과학기술원 신현석 교수 연구팀이 ‘육방정계 질화붕소’ 단일층 내부에 그래핀 양자점을 규칙적으로 배열한 2차원 평면 복합체를 제조하는 기술을 개발함. 연구팀은 백금 나노입자가 배열된 실리카 기판 위에 육방정계 질화붕소를 올린 뒤, 메탄 기체 속에서 열처리하는 방법을 사용함. 이를 통해 백금 입자 크기에 따라 그래핀 양자점 크기를 7∼13나노미터로 조절할 수 있으며, 원자 한 층의 육방정계 질화붕소 내부에 그래핀 양자점이 규칙적으로 배열된 소재가 만들어짐. 또한 연구팀은 불순물을 최소화해 전자를 안정적으로 이동시키는 단전자 트랜지스터를 구현하는 데 성공함. 연구팀은 그래핀 양자점 기반 단전자 트랜지스터는 빠른 정보처리와 저전력으로 작동하는 전자기기에 적용돼 기술적 진보를 가져올 것으로 기대함
※ Nature Communications 게재
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