[국내/R&D]반도체 불량 원인 '누설 전류', 미리 알 수 있는 기술 개발
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- 발행기관
- 조선비즈
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- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-04-04
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한국표준과학연구원 신채호 박사 연구팀이 누설 전류로 인한 반도체의 불량률을 낮추는 새로운 공정 기준을 마련함. 얇은 막이 겹겹이 쌓인 다층 반도체에서 누설 전류가 발생할 수 있는 ‘임계 거칠기(Critical Roughness, CR)’ 지점을 최초로 정의하는 데 성공함. 연구팀은 나노미터 수준의 초박막층을 측정할 수 있는 고도화된 기술로 이같은 개념을 찾아냈으며, 이번 개념은 미국 반도체 업체 생산라인에 사용하는 원자력 현미경에 적용해 실제 사용이 가능한 수준임. 연구팀은 이 지점을 임계 거칠기로 지정하고 국제표준화기구(ISO)가 인증하는 국제표준용어 등재가 가능할 것으로 전망함
※ Scientific Reports, Ultramicroscopy 게재
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